Высказывания: Раб, сознающий свое рабское положение и борющийся против него, есть революционер. Раб, не сознающий своего рабства и прозябающий в молчаливой, бессознательной и бессловесной рабской жизни, есть просто раб. Раб, у которого слюнки текут, когда он самодовольно описывает прелести рабской жизни и восторгается добрым и хорошим господином, есть холоп, хам. Вот вы именно такие хамы, господа. (…) Вся ваша образованность, культурность и просвещенность есть только разновидность квалифицированной проституции. 1907 г., В.И. Ленин. Памяти графа Гейдена (Чему учат народ наши беспартийные «демократы»?). — Полное собрание сочинений, 5 изд., том 16, стр. 37 — 45.
Основные параметры транзистора IXGT32N60BD1 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGT32N60BD1 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
-
600V
-
-
-
60A
175°C
80nS
-
Производитель: IXYS Сфера применения: IGBT with FRED diode Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IXGT32N60BD1
Общий вид транзистора IXGT32N60BD1.
Цоколевка транзистора IXGT32N60BD1.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.