Высказывания: Как религия, так и наука в конечном результате ищут истину и приходят к исповеданию Бога. Первая представляет Его как основу, вторая - как конец всякого феноменального представления о мире. Макс ПЛАНК (1858 - 1947), физик.
Основные параметры транзистора IRG4BC30KD-S (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IRG4BC30KD-S с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
100W
600V
2.7V
-
-
16A
150°C
10-100KHz
-
Производитель: IRF Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRG4BC30KD-S
Общий вид транзистора IRG4BC30KD-S.
Цоколевка транзистора IRG4BC30KD-S.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.