Высказывания: Высшая и самая характерная черта нашего народа — это чувство справедливости и жажда ее. Достоевский Фёдор Михайлович
Основные параметры транзистора HGTD3N60C3 (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGTD3N60C3 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
33W
600V
1.65V
600V
±20V
6A
150°C
5/325nS
-
Производитель: HARRIS Сфера применения: UFS Series N-Channel IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGTD3N60C3
Общий вид транзистора HGTD3N60C3.
Цоколевка транзистора HGTD3N60C3.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
