Юмор: Все, что есть хорошего в жизни, либо незаконно, либо аморально, либо ведет к ожирению.
Основные параметры транзистора HGT1S14N36G3VL (БТИЗ, IGBT).
Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора HGT1S14N36G3VL с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Полярность: N-Channel
Pc max
Uce max
Ucesat
Ucg max
Ueg max
Ic max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Cc tip
100W
360V
1.45V
360V
±10V
14A
150°C
7µS
-
Производитель: INTERSIL Сфера применения: Logic Level. Voltage Clamping IGBT Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HGT1S14N36G3VL
Общий вид транзистора HGT1S14N36G3VL.
Цоколевка транзистора HGT1S14N36G3VL.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
