Биполярный транзистор IXGH41N60 с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
11.9.2023 О создании технологии массового производства ...

23.6.2023 Российские учёные вместе с коллегами из Итали...

23.6.2023 Начался приём заказов на серийно выпускаемые ...



Высказывания:
Финансирующие организации откажутся от вашего предложения, если его результаты не будут известны заранее.
Лемма о предотвращении нововведения Роки



Основные параметры транзистора IXGH41N60 (БТИЗ, IGBT).

Эта страница содержит справочную информацию о параметрах биполярного транзистора IXGH41N60 с изолированным затвором. Дана подробная информация о параметрах, аналогах и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Полярность: N-Channel

Pc maxUce maxUcesatUcg maxUeg maxIc maxTj max, °CFr (Ton/of)Cc tip
-600V---76A150°C1.6nS -

Производитель: IXYS
Сфера применения: LOW SATURATION VOLTAGE IGBT
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора IXGH41N60

Общий вид транзистора IXGH41N60.Цоколевка транзистора IXGH41N60.
Общий вид транзистора IXGH41N60 Цоколевка транзистора IXGH41N60

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, C - коллектор, E - эмиттер.
Российское: З - затвор, К - коллектор, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора IXGH41N60

Коллективный разум. Дополнения для транзистора IXGH41N60.

Вы знаете больше о транзисторе IXGH41N60, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора IXGH41N60.
Добавить рисунок транзистора IXGH41N60.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора IXGH41N60.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2023. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru