Высказывания: Объяснить происхождение жизни на Земле только случаем - это как если бы объяснили происхождение словаря взрывом в типографии. Невозможность признания, что дивный мир с нами самими, как сознательными существами, возник случайно, кажется мне самым главным доказательством существования Бога. Мир покоится на закономерностях и в своих проявлениях предстает как продукт разума - это указывает на его Творца. Чарлз ДАРВИН (1809 - 1882), естествоиспытатель.
Основные параметры STK2NA60 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STK2NA60. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
50W
600V
-
-
1.9A
150°C
-
-
8.000
Производитель: STE Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STK2NA60
Общий вид транзистора STK2NA60.
Цоколевка транзистора STK2NA60.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.