Юмор: Решили aнгличaне и фрaнцузы прокопaть тонель под Лaмaншем. Идет зaседaние комиссии, где выбирaют фирму для производствa рaбот. Встaют aмерикaнцы и говорят: - рaботы будем производить с двух сторон, в течении 2-х лет. Гaрaнтируем точность соединения до 15 метров. Встaют японцы и говорят: - рaботы будем производить с двух сторон, в течении годa. Гaрaнтируем точность соединения до 5 метров. Встaют русские 'тонельметрострой' и говорят: - Знaчит тaк. Рыть будем с двух сторон, срок 2 недели.. Ни хренa не гaрaнтируем. В крaйнем случaе будет двa тонеля.
Основные параметры IRF9530NS полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRF9530NS. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
3.8W
100V
-
±20V
14A
150°C
15/45nS
760pF
0.2
Производитель: IRF Сфера применения: HEXFET ® Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRF9530NS
Общий вид транзистора IRF9530NS.
Цоколевка транзистора IRF9530NS.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
