Мысли и афоризмы: Рассуждай токмо о том, о чем понятия твои тебе дозволяют: не зная законов языка ирокезского, можешь ли ты делать такое суждение по сему предмету, которое бы не было глупо и неосновательно? Козьма Прутков.
Основные параметры PHX6NA60E полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального PHX6NA60E. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
45W
600V
-
-
3.25A
150°C
-
-
1.2
Производитель: PHILIPS Сфера применения: MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PHX6NA60E
Общий вид транзистора PHX6NA60E.
Цоколевка транзистора PHX6NA60E.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.