Мысли и афоризмы: Самый отдаленный пункт земного шара к чему-нибудь да близок, и самый близкий от чего-нибудь да отдален. Козьма Прутков.
Основные параметры 2N6660JANTXV полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального 2N6660JANTXV. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
6.25W
60V
-
30V
2A
150°C
5/5nS
50pF
3
Производитель: N/A Сфера применения: Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N6660JANTXV
Общий вид транзистора 2N6660JANTXV.
Цоколевка транзистора 2N6660JANTXV.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.