Высказывания: Если аппаратная ошибка приводит к краху программы, то виновным окажется программист. Если же исполнение некорректной программы ведет к неправильному функционированию оборудования, то виновным окажется системный администратор.
Основные параметры IRFBC30AS полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFBC30AS. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
74W
600V
-
±30V
3.6A
150°C
9.8/19nS
510pF
2.2
Производитель: IRF Сфера применения: SMPS HEXFET ® Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFBC30AS
Общий вид транзистора IRFBC30AS.
Цоколевка транзистора IRFBC30AS.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.