Высказывания: Неудачи других кажутся нам совершенно естественными, но вот почему нам не везет - этого мы не можем понять. Мария фон Эбнер-Эшенбах
Основные параметры STP50N06 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STP50N06. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
150W
60V
-
-
50A
150°C
-
-
0.028
Производитель: STE Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STP50N06
Общий вид транзистора STP50N06.
Цоколевка транзистора STP50N06.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.