Высказывания: Не лги, что павшая страна Была обитель зла и фальши. Я помню эти времена, Я помню всё, что было раньше
Там волчьей не было грызни, Там люди верили друг другу. И вместо 'Слабого толкни' - Всегда протягивали руку.
Там секс не лез вперёд любви, Там братство было просто братством, И не учили по TV Всё дозволяемому 6лядству.
Там вор, бандит, подлец и мразь Страшились сильного закона, И не бывала отродясь Фемида в рабстве у Мамоны.
Я помню эти времена. Я помню всё и не забуду, Не лги, что павшая страна Была обитель зла… Иуда!
Основные параметры STP4NA60FI полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STP4NA60FI. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
40W
600V
-
-
2.7A
150°C
-
-
2.200
Производитель: STE Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STP4NA60FI
Общий вид транзистора STP4NA60FI.
Цоколевка транзистора STP4NA60FI.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.