Высказывания: В природе всегда сокрыт тайный порок. Принцип Бенедикта (ранее 9-е следствие Мерфи)
Основные параметры APT1003R5BN полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального APT1003R5BN. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
180W
1000V
-
30V
4.5A
150°C
26/37nS
880pF
3.5
Производитель: Advanced Power Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора APT1003R5BN
Общий вид транзистора APT1003R5BN.
Цоколевка транзистора APT1003R5BN.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.