Параметры полевого транзистора KP103M (КП103М). Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
1. Товар с этикеткой "Новинка" или "Улучшенная модель" таковым не является. Обе эти этикетки означают, что цена подскочила.
Правила Хешайза



Основные параметры KP103M (КП103М) полевого транзистора p-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального KP103M (КП103М). Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: P-Channel
Структура (технология): FET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
120mW10V-7V12mA150°C- 20pF-

Производитель: RUSSIA
Сфера применения: -
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора KP103M (КП103М)

Общий вид транзистора KP103M (КП103М).Цоколевка транзистора KP103M (КП103М).
Общий вид транзистора KP103M (КП103М) Цоколевка транзистора KP103M (КП103М)

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора KP103M (КП103М)





Коллективный разум. Дополнения для транзистора KP103M (КП103М).

Вы знаете больше о транзисторе KP103M (КП103М), чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора KP103M (КП103М).
Добавить рисунок транзистора KP103M (КП103М).
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора KP103M (КП103М).

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru