Высказывания: Два чуда на свете. Одно – это звёздное небо над головой. Второе – нравственный закон внутри человека. Кант
Основные параметры IRF7663 полевого транзистора p-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора p-канального IRF7663. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: P-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
1.8W
20V
-
4.5V
8.2A
150°C
11/125nS
2520pF
0.02
Производитель: IRF Сфера применения: HEXFET ® Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRF7663
Общий вид транзистора IRF7663.
Цоколевка транзистора IRF7663.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
