Мысли и афоризмы: Если бы тени предметов не зависели от величины сих последних, но имели бы свой произвольный рост, то, может быть, на целом земном шаре скоро не нашлось бы ни одного светлого места. Козьма Прутков.
Основные параметры STP5N80 полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального STP5N80. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
125W
800V
-
-
5.5A
150°C
-
-
2.000
Производитель: STE Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STP5N80
Общий вид транзистора STP5N80.
Цоколевка транзистора STP5N80.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.