Высказывания: Объяснить происхождение жизни на Земле только случаем - это как если бы объяснили происхождение словаря взрывом в типографии. Невозможность признания, что дивный мир с нами самими, как сознательными существами, возник случайно, кажется мне самым главным доказательством существования Бога. Мир покоится на закономерностях и в своих проявлениях предстает как продукт разума - это указывает на его Творца. Чарлз ДАРВИН (1809 - 1882), естествоиспытатель.
Основные параметры IRF520NS полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRF520NS. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
47W
100V
-
10V
9.5A
150°C
-
-
0.2
Производитель: IRF Сфера применения: - Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRF520NS
Общий вид транзистора IRF520NS.
Цоколевка транзистора IRF520NS.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
