Параметры полевого транзистора IRF530FI. Интернет-справочник ПАРАТРАН.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Большая сила у того человека, который умеет промолчать, хотя он прав.
Катон



Основные параметры IRF530FI полевого транзистора n-канального.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRF530FI. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: N-Channel
Структура (технология): MOSFET

Pd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxTj max, °CFr (Ton/of)Ciss tipRds
40W100V100V20V10A175°C30/180 9000.160

Производитель: STE
Сфера применения: ENHANCEMENT MODE POWER MOS
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора IRF530FI

Общий вид транзистора IRF530FI.Цоколевка транзистора IRF530FI.
Общий вид транзистора IRF530FI Цоколевка транзистора IRF530FI

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.



Аналоги транзистора IRF530FI





Коллективный разум. Дополнения для транзистора IRF530FI.

транзистор
Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2017-02-08 18:10:23; Пользователь: Без имени.


Вы знаете больше о транзисторе IRF530FI, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора IRF530FI.
Добавить рисунок транзистора IRF530FI.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора IRF530FI.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru