Высказывания: Если ученый обнаружил факт, пригодный для печати, то последний становится центральным элементом его теории.Следствие: Эта теория, в свою очередь, становится центральной для всего научного направления. Закон Менна
Основные параметры FDB8030L полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального FDB8030L. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
187W
30V
-
-
80A
150°C
-
-
0.0035
Производитель: FAIRCHILD Сфера применения: Surface-Mount Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDB8030L
Общий вид транзистора FDB8030L.
Цоколевка транзистора FDB8030L.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.