Высказывания: В стране, где есть порядок, будь смел и в действиях, и в речах. В стране, где нет порядка, будь смел в действиях, но осмотрителен в речах.
Основные параметры IRFIB6N60A полевого транзистора n-канального.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого транзистора n-канального IRFIB6N60A. Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: N-Channel Структура (технология): MOSFET
Pd max
Uds max
Udg max
Ugs max
Id max
Tj max, °C
Fr (Ton/of)
Ciss tip
Rds
60W
600V
600V
±30V
5.5A
150°C
13/30nS
1400pF
0.75
Производитель: IRF Сфера применения: HEXFET ® SMPS Power MOSFET Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора IRFIB6N60A
Общий вид транзистора IRFIB6N60A.
Цоколевка транзистора IRFIB6N60A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.