Высказывания: Чудесное устройство космоса и гармония в нем могут быть объяснены лишь тем, что космос был создан по плану всеведущего и всемогущего существа. Вот мое первое и последнее слово. Исаак НЬЮТОН (1643 - 1727), физик и математик.
Основные параметры транзистора UN1116Q биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора UN1116Q . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
400mW
50V
50V
6V
100mA
150°C
80MHz
-
160MIN
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Digital, Internal Rezistors R1=4.7K Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UN1116Q
Общий вид транзистора UN1116Q.
Цоколевка транзистора UN1116Q.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.