Высказывания: 1. Если в деловых письмах и не будет ни одной ошибки, то на почте что-нибудь да напутают. Следствие: Ошибки обнаружит во вторых экземплярах босс, когда начнет их читать. Шесть законов конторской Мерфологии
Основные параметры транзистора UMT1N биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора UMT1N . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
50V
50V
5V
100mA
150°C
140MHz
-
120MIN
Производитель: ROHM Сфера применения: Dual Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора UMT1N
Общий вид транзистора UMT1N.
Цоколевка транзистора UMT1N.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.