Высказывания: Объяснить происхождение жизни на Земле только случаем - это как если бы объяснили происхождение словаря взрывом в типографии. Невозможность признания, что дивный мир с нами самими, как сознательными существами, возник случайно, кажется мне самым главным доказательством существования Бога. Мир покоится на закономерностях и в своих проявлениях предстает как продукт разума - это указывает на его Творца. Чарлз ДАРВИН (1809 - 1882), естествоиспытатель.
Основные параметры транзистора TPSA13 биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора TPSA13 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
625mW
30V
30V
-
400mA
125°C
125MHz
-
10000MIN
Производитель: TI Сфера применения: Darlington, Medium Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TPSA13
Общий вид транзистора TPSA13.
Цоколевка транзистора TPSA13.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
