Высказывания: Любая устаревшая модель робота, управляемая главным персонажем, намного разрушительнее, чем новейшая неуязвимая модель, управляемая его противником. Следствие Гандама: Технический прогресс бесполезен. Вывод Галда: В конце концов всё решается в драке голыми руками. 2-ой закон Робототехники
Основные параметры транзистора TP3251 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора TP3251 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
50V
40V
5V
200mA
150°C
300MHz
6
100MIN
Производитель: NSC Сфера применения: RF, Low Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TP3251
Общий вид транзистора TP3251.
Цоколевка транзистора TP3251.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.