Высказывания: Если вы наконец-то отважились отправить любовное письмо, то оно так долго будет идти по почте, что вы за это время успеете выставить себя на посмешище.
Основные параметры транзистора TIS63 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора TIS63 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
30V
12V
3V
30mA
125°C
400MHz
1.6
20MIN
Производитель: TI Сфера применения: RF, Medium Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIS63
Общий вид транзистора TIS63.
Цоколевка транзистора TIS63.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.