Параметры транзистора T2057. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
11.9.2023 О создании технологии массового производства ...

23.6.2023 Российские учёные вместе с коллегами из Итали...

23.6.2023 Начался приём заказов на серийно выпускаемые ...



Высказывания:
Пафос позы не служит признаком величия; тот, кто нуждается в позах, обманчив… Будьте осторожны с живописными людьми.
Стефан Цвейг.



Основные параметры транзистора T2057 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора T2057 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
150mW40V40V25V50mA140°C5MHz 1010/60

Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Low Power, Switching, General Purpose
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора T2057

Общий вид транзистора T2057.Цоколевка транзистора T2057.
Общий вид транзистора T2057 Цоколевка транзистора T2057

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора T2057
Где купить транзистор T2057?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора T2057.

Вы знаете больше о транзисторе T2057, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора T2057.
Добавить рисунок транзистора T2057.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора T2057.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2023. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru