Параметры транзистора PMD11K80. Интернет-справочник основных параметров транзисторов.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
Я прежде всего экономист. Экономисты любят задавать вопросы, но не любят отвечать. Поскольку ответов не знают - знают только варианты ответов. То, что сегодня кажется правильным, завтра становится совершенно неправильным. По этому поводу существует шутка: экономистов придумали для того, чтобы на их фоне хорошо выглядели синоптики.
Конечно, есть экономисты, которые предсказали кризис, происходящий сейчас во всем мире. Но они скорее всего это сделали случайно. Выбирая среди разных вариантов прогнозов небольшое количество экспертов попало в точку. А процентов 80 не угадали и не ожидали, что такое произойдет.
Дворкович А.В., 11.06.2009



Основные параметры транзистора PMD11K80 биполярного низкочастотного pnp.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора PMD11K80 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc maxUcb maxUce maxUeb maxIc maxTj max, °CFt maxCc tipHfe
150W80V80V5V12A150°C- -800MIN

Производитель: LAMBDA
Сфера применения: Darlington, Power
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора PMD11K80

Общий вид транзистора PMD11K80.Цоколевка транзистора PMD11K80.
Общий вид транзистора PMD11K80 Цоколевка транзистора PMD11K80

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.



Аналоги транзистора PMD11K80
Где купить транзистор PMD11K80?


Коллективный разум. Дополнения для транзистора PMD11K80.

Вы знаете больше о транзисторе PMD11K80, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора PMD11K80.
Добавить рисунок транзистора PMD11K80.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора PMD11K80.


Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru