Высказывания: В простых случаях, когда отчетливо виден один явно правильный вариант и один явно неправильный вариант, часто разумнее выбрать неправильный, чтобы быстрее приступить к неизбежным исправлениям. Следствие из первого закона корректировки
Основные параметры транзистора MPS5401R биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора MPS5401R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
160V
150V
5V
600mA
150°C
100MHz
10
90/280
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: Medium Power, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MPS5401R
Общий вид транзистора MPS5401R.
Цоколевка транзистора MPS5401R.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.