Высказывания: И чтo бы тaм нe пpoиcxoдилo, нe cтoит вocпpинимaть жизнь cлишкoм вcepьёз, вcё paвнo нaм из нeё живыми нe выбpaтьcя.
Основные параметры транзистора MM8007 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора MM8007 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
15V
10V
3V
20mA
200°C
1GHz
1.5
25MIN
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: UHF, Low Power, Low Noise Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MM8007
Общий вид транзистора MM8007.
Цоколевка транзистора MM8007.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.