Высказывания: Я вынужден думать, что существует нечто подобное сверхъестественному началу моего уникального, сознающего себя духа и моей уникальной души... Идея сверхъестественного творения помогает мне избежать очевидно нелепого умозаключения о генетическом происхождении моего уникального «Я» Из лекции нейрофизиолога Джона ЭККЛЗА (род. 1903) во время получения им Нобелевской премии.
Основные параметры транзистора BSX29 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора BSX29 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
360mW
12V
12V
4V
200mA
200°C
-
-
30MIN
Производитель: TI Сфера применения: VHF, Low Power, Switching Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BSX29
Общий вид транзистора BSX29.
Цоколевка транзистора BSX29.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.