Высказывания: Нет в мире ничего прекрасней бытия. Безмолвный мрак могил - томление пустое. Я жизнь мою прожил, я не видал покоя: Покоя в мире нет. Повсюду жизнь и я. Заболоцкий Николай Алексеевич
Основные параметры транзистора BFS17AR биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора BFS17AR . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
25V
15V
2V
25mA
150°C
3.2GHz
1.5
20MIN
Производитель: TELEFUNKEN Сфера применения: UHF, Low Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BFS17AR
Общий вид транзистора BFS17AR.
Цоколевка транзистора BFS17AR.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
