Восстание машин: Ноутбук включился в рюкзаке из спящего режима, сам решил поустанавливать обновления и ребутнуться, стер все открытые программы типа Стима и Гугл Хрома, до жидкости вытопил своими четырьмя ядрами запечатанную 99-процентную шоколадку, та залила рюкзак. Ноут кулером через вентиляционное отверстие всосал жидкий шоколад внутрь себя и довольный сдох.
Основные параметры транзистора BDV18 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора BDV18 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
36W
80V
-
-
4A
175°C
3MHz
-
750MIN
Производитель: PHILIPS Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDV18
Общий вид транзистора BDV18.
Цоколевка транзистора BDV18.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.