Мысли и афоризмы: Если бы тени предметов не зависели от величины сих последних, но имели бы свой произвольный рост, то, может быть, на целом земном шаре скоро не нашлось бы ни одного светлого места. Козьма Прутков.
Основные параметры транзистора BDT62CF биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора BDT62CF . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
17W
120V
120V
5V
10A
150°C
10MHz
-
2000T
Производитель: PHILIPS Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDT62CF
Общий вид транзистора BDT62CF.
Цоколевка транзистора BDT62CF.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.