Высказывания: Она была вполне счастлива, имея состоятельного, умственно превосходящего её мужа и двоих детей; она лениво нежилась в своём уютном, обеспеченном, укрытом от бурь существовании. Но бывает в воздухе такое затишье, которое будит чувственность не меньше, чем духота и грозы, такая равномерная температура счастья, которая взвинчивает сильнее всякого несчастья. Сытость раздражает так же, как и голод. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора BDT30DF биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора BDT30DF . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
14W
160V
160V
-
1A
150°C
3MHz
-
15/75
Производитель: PHILIPS Сфера применения: High Power, High Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BDT30DF
Общий вид транзистора BDT30DF.
Цоколевка транзистора BDT30DF.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.