Высказывания: Она была вполне счастлива, имея состоятельного, умственно превосходящего её мужа и двоих детей; она лениво нежилась в своём уютном, обеспеченном, укрытом от бурь существовании. Но бывает в воздухе такое затишье, которое будит чувственность не меньше, чем духота и грозы, такая равномерная температура счастья, которая взвинчивает сильнее всякого несчастья. Сытость раздражает так же, как и голод. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора BCR135S биполярного высокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного npn транзистора BCR135S . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
50V
50V
6V
100mA
150°C
150MHz
3
70MIN
Производитель: SIEMENS Сфера применения: Digital, Internal Rezistors R1=2.2K .R2=47K Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BCR135S
Общий вид транзистора BCR135S.
Цоколевка транзистора BCR135S.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
