Юмор: Встречаются два друга. Один другому: - Ой, Ося! Я не пойму, шо всем так нравится этот Басков? Шепелявит, не в такт попадает, хрипит... - Изя, а ты слушал Баскова? - Нет, мне Рабинович напел.
Основные параметры транзистора BCP48 биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора BCP48 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
1.5W
80V
60V
10V
500mA
150°C
200MHz
4.5
10000T
Производитель: SIEMENS Сфера применения: Darlington, Low Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BCP48
Общий вид транзистора BCP48.
Цоколевка транзистора BCP48.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.