Высказывания: Аксиома: Любая нетривиальная программа имеет хотя бы одну ошибку. Теорема 1: единственным и достаточным условием тривиальности программы является полное отсутствие ошибок. Теорема 2: После увольнения программиста из компании в его программе будет обнаружена хотя бы одна ошибка.
Основные параметры транзистора 2SC3779 биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC3779 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
600mW
20V
12V
3V
100mA
125°C
5GHz
1
40/200
Производитель: SANYO Сфера применения: UHF, Low Power, Low Noise Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SC3779
Общий вид транзистора 2SC3779.
Цоколевка транзистора 2SC3779.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.