Юмор: Глобализация - это когда в день cв.Патрика в Сан-Франциско из итальянского ресторана полицейский-мексиканец в форме китайского пошива выталкивает толпу обпившихся французским абсентом негров за драку с русскими, выступивших за права эскимосов на Диком Западе.
Основные параметры транзистора 2SB672A биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2SB672A . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
110W
140V
120V
5V
8A
150°C
-
-
8000T
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Darlington, Power Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SB672A
Общий вид транзистора 2SB672A.
Цоколевка транзистора 2SB672A.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.