Высказывания: Как религия, так и наука в конечном результате ищут истину и приходят к исповеданию Бога. Первая представляет Его как основу, вторая - как конец всякого феноменального представления о мире. Макс ПЛАНК (1858 - 1947), физик.
Основные параметры транзистора 2SA872C биполярного высокочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного высокочастотного pnp транзистора 2SA872C . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
300mW
90V
90V
5V
50mA
150°C
120MHz
3.6
320MAX
Производитель: MATSUSHITA Сфера применения: Low Power, Medium Voltage, General Purpose Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SA872C
Общий вид транзистора 2SA872C.
Цоколевка транзистора 2SA872C.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.