Высказывания: Страсть способна на многое. Она может пробудить в человеке небывалую сверхчеловеческую энергию. Она может своим неослабным давлением выжать даже из самой уравновешенной души титанические силы. Стефан Цвейг.
Основные параметры транзистора 2N5876 биполярного низкочастотного pnp.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного pnp транзистора 2N5876 . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
150W
80V
80V
5V
10A
200°C
4MHz
500
20/100
Производитель: MOTOROLA Сфера применения: High Power, High Voltage, High Frequency Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N5876
Общий вид транзистора 2N5876.
Цоколевка транзистора 2N5876.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.