Высказывания: Вседержитель безошибочен: всё, что ни делается, - делается к лучшему; всё, что свершилось и свершается, — свершилось и свершается наилучшим возможным образом, при той реальной нравственности и производных из неё намерениях и этике, носителями которых являются индивиды, в совокупности составляющие общество; Вседержитель велик и всемогущ, и милость Его безгранична. Основы социологии. Том 1. Глава 5.9
Основные параметры транзистора 2N2857UB биполярного сверхвысокочастотного npn.
Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2N2857UB . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe
200mW
30V
15V
3V
40mA
175°C
1GHz
1
50MIN
Производитель: SEMICOA Сфера применения: Low Power, Ultra High Frequency Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N2857UB
Общий вид транзистора 2N2857UB.
Цоколевка транзистора 2N2857UB.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.